IRF 1010N - MOSFET, N-Ch 55V 85A 0,011R, TO-220AB

Die fortschrittlichen HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein bevorzugt für alle kommerziell-industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 Watt. Der geringe thermische Widerstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• extrem niedriger On-Widerstand• dynamische dv/dt-Bewertung• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-geeignet• bleifrei