IRFZ 24N - MOSFET, N-Ch 55V 17A 0,07R, TO-220AB

Die HEXFETÆ-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• dynamische dV/dt-Bewertung• fortschrittliche Prozesstechnologie• schnelles Schalten• volle Avalanche-Bewertung• bleifrei