IRFBC 40 - MOSFET, N-Ch 600V 6,2A 125W, TO-220AB

Dieser N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungsfeldtransistor im Anreicherungsmodus Leistungs-Feldeffekttransistor ist ein fortschrittlicher Leistungs-MOSFET, der getestet und garantiert, dass er einer bestimmten Energiemenge Energie im Avalanche-Durchbruchmodus zu widerstehen. Alle diese diese Leistungs-MOSFETs sind für Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Motortreiber, Relaistreiber Relaistreibern und Treibern für bipolare Hochleistungs- Schalttransistoren Transistoren, die eine hohe Geschwindigkeit und eine niedrige Gate-Treiberleistung erfordern. Diese Typen können direkt von integrierten Schaltungen betrieben Schaltungen betrieben werden.Anwendungen• switch Mode Power Supply ( SMPS)• unterbrechungsfreie Stromversorgung• hohe SchaltgeschwindigkeitVorteile • niedrige Gate-Ladung Qg resultiert in einfachem Antriebsbedarf • vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-Spannung und Strom • verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit • niedrige Gate-Ladung Qg resultiert in einfacher Ansteuerungsanforderung• effektiver Coss spezifiziert (siehe AN 1001)