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BUZ 11 - MOSFET, N-Ch 50V 35A 0,04R, TO-220AB

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BUZ 11, N-Kanal Power MOSFET 50V, 30A, 40 mOBeschreibungDies ist ein N-Kanal-Silizium-Gate-Leistungs-Feldeffekttransistor im Anreicherungsmodus, der für Anwendungen wie Schaltregler, Schaltwandler, Motortreiber, Relaistreiber und Treiber für bipolare Hochleistungs-Schalttransistoren entwickelt wurde, die eine hohe Geschwindigkeit und eine geringe Gate-Treiberleistung erfordern. Dieser Typ kann direkt über integrierte Schaltungen betrieben werden.Merkmale• 30A, 50V• RDS(ON)= 0,040O• SOA ist verlustleistungsbegrenzt• Nanosekunden-Schaltgeschwindigkeiten• Lineare Übertragungseigenschaften• Hohe Eingangsimpedanz• Mehrheits-Träger-Bauelement

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