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IRL 510 VIS - MOSFET, N-Ch 100V 5,6A 0,54R, TO-220

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IRL 510 VIS - MOSFET, N-Ch 100V 5,6A 0,54R, TO-220

IRL510, SiHL510Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Design, niedrigem On-Widerstand undKosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für allekommerziell-industrielle Anwendungen mit einer VerlustleistungVerlustleistung bis etwa 50 W. Der niedrige Wärmewiderstandund die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seinerbreite Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• Dynamische dV/dt-Bewertung• Repetitive Avalanche Nennwert• Logik-Level Gate Drive• RDS(on) Angegeben bei VGS = 4 V und 5 V• 175 °C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Einfaches Parallelisieren• Konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC

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