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IRL 640 - MOSFET, N-Ch 200V 17A 0,18R, TO-220

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IRL 640 - MOSFET, N-Ch 200V 17A 0,18R, TO-220

HEXFET® der dritten Generation von International Rectifier bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnell schaltendem, robustem Bauelementedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz.Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die geringen Kosten des TO-220-Gehäuses sind der Grund für seine breite Akzeptanz in der Industrie.Eigenschaften• dynamische dv/dt-Bewertung• fortschrittliche Prozesstechnologie• Logik-Level-Gate-Ansteuerung • RDS (ein) spezifiziert bei Vgs= 4V & 5V• schnelles Schalten• einfache Parallelisierung • einfache Ansteuerungsanforderungen

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