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2N 7002 NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,3A 2,8R, SOT-23
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Variante
2N 7002 NXP - MOSFET, N-Ch 60V 0,3A 2,8R, SOT-23
2N7002, 60 V, 300 mA N-Kanal-Trench-MOSFETAllgemeine Beschreibung:N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) in einem Kunststoffgehäuse in Trench-MOSFET-Technologie mit Anreicherungsmodus.Merkmale und Vorteile:• Geeignet für Gate-Treiberquellen mit logischem Pegel• Sehr schnelles Schalten• Oberflächenmontiertes Gehäuse• Trench-MOSFET-TechnologieAnwendungen:• Logikpegel-Übersetzer • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
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Hersteller:NXP