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STD80N6F6 - MOSFET N-Ch 60V 80A 120W, 0,005R, TO-252

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STripFET™ F6 Leistungs-MOSFETDiese N-Kanal Leistungs-MOSFET wurde unter Verwendung der STripFET™ F6-Technologie mit einer neuen Trench-Gate-Struktur entwickelt. Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf.MerkmaleAEC-Q101-qualifiziertSehr niedriger EinschaltwiderstandSehr niedrige Gate-LadungHohe Avalanche-RobustheitGeringe Gate-Drive-VerlustleistungAnwendungenSchaltanwendungen

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