Preisvergleich / Elektronik / Elektrozubehör / DG75X07T2L - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 90 A, 428 W, TO-247
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DG75X07T2L - IGBT-Transistor, N-Kanal, 650 V, 90 A, 428 W, TO-247

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Produktdetails

DG75X07T2L, 650 V IGBT with DiodeAllgemeine BeschreibungDOSEMI IGBT Power Discrete bietet einen extrem niedrigen Leitungsverlust sowie einen niedrigen Schaltverlust. Sie wurden für Anwendungen wie allgemeine Wechselrichter und USV entwickelt.Merkmale• Niedrige V CE(sat) Schnelle IGBT-Technologie• Geringer Schaltverlust• Maximale Sperrschichttemperatur 175 o C• V CE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten• Schnelle & sanfte Rückwärtserholung anti parallel FWD• Bleifreies GehäuseTypische Anwendungen• Wechselrichter für Motorantrieb• AC- und DC-Servoantriebsverstärker• Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Informationen

Lieferzeit:1-3 Werktage
Marke:STARPOWER