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XPH8R316MC - Leistungs-MOSFET, P-Ch, 60V 90A 0.0083R, SOP Advance

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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS..)AEC-Q101 qualifiziertKleines, dünnes GehäuseNiedriger Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(ON) = 6,4 mO (typ.) (VGS = -10 V)Geringer Leckstrom: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -60 V)Anreicherungsmodus: Vth = -1,0 bis -2,1 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

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Hersteller:Toshiba