IRFP 054 - MOSFET, N-Ch 60V 70A 0,014R, TO-247AC

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das TO-218-Gehäuse wird für kommerziell-industrielle Anwendungen bevorzugt, bei denen höhere Leistungspegel die Verwendung von TO-218-Bauteilen ausschließen. Das TO_218 -Gehäuse ist dem früheren TO-218-Gehäuse ähnlich, aber aufgrund seiner isolierten Montagebohrung überlegen.Eigenschaften• 175°C Betriebstemperatur• Einfache Antriebsanforderungen• dynamische dv/dt-Bewertung• isoliertes zentrales Montageloch• schnelles Schalten