IRFR 5505 - MOSFET, P-Ch, 55V 18A 0,11R, TO-252AA

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.Der D-Park ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlüssen (Serie IRFU) ist für die Durchsteckmontage vorgesehen. Bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage sind Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt möglich.Eigenschaften• extrem niedriger On-Widerstand• Oberflächenmontage (IRFR5505)• gerader Anschluss (IRFU5505)• fortschrittliche Prozesstechnologie• schnelles Schalten• voll Avalanche-tauglich• bleifrei