IRLU 120N - MOSFET, N-Ch 100V 10A 0,185R, I-Pak

HEXFET®-Leistungs-MOSFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs für die HEXFETs bekannt sind, bietet dem Konstrukteur ein extrem effizientes Bauelement für einer Vielzahl von Anwendungen.Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken. Die Version mit geradem Anschluss (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage. Verlustleistungen von bis zu 1,5 Wattsind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage möglich.• Oberflächenmontage (IRLR120N) • gerader Anschluss (IRLU120N)• fortschrittliche Prozesstechnologie• schnelles Schalten• vollständig Avalanche-geeignet• Bleifrei