IRLR 3410 - MOSFET, N-Ch 100V 17A 0,105R, D-PAK

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Der D-PAK ist für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechniken ausgelegt. Die Version mit geraden Anschlussdrähten (Serie IRFU) ist für Anwendungen mit Durchgangslochmontage vorgesehen. Verlustleistung bis zu 1,5 Watt sind bei typischen Anwendungen für die Oberflächenmontage Anwendungen möglich.Eigenschaften• Logic Level Gate Drive• Oberflächenmontage (IRLR3410)• gerade Leitung (IRLU3410)• fortschrittliche Prozesstechnologie• schnelles Schalten• voll Avalanche Rated• bleifrei