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IRF 7410 - MOSFET, P-Ch, -12V -16A 0,007R, SO-8

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HEXFET Power MOSFETBeschreibung:Diese P-Kanal-HEXFETPower-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um den extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil bietet dem Konstrukteur ein äußerst effizientes Bauelement für den Einsatz in Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen. Der SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Leadframe modifiziert, um die thermischen Eigenschaften und die Multi-Die-Fähigkeit zu verbessern, wodurch er sich ideal für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz eingesetzt werden. Das Gehäuse ist für Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlöttechnik ausgelegt.Merkmale:• Ultra-niedriger On-Widerstand• P-Kanal-MOSFET• Oberflächenmontage• Verfügbar als Tape & Reel• Bleifrei

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