FDC3601N ONS - MOSFET, 2xN-Ch 100V 1A 0,96W, 0,5R, SOT-23-6

Leistungs-MOSFETPowerTrenchDiese für 100 V spezifizierten N-Kanal-MOSFETs sind mit dem onsemi's fortschrittlichem PowerTrench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Einschaltwiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten. Diese Bauelemente wurden entwickelt, um eine außergewöhnliche Verlustleistung bei sehr kleinem Platzbedarf zu bieten für Anwendungen, bei denen die größeren und teurere SO-8- und TSSOP-8-Gehäuse unpraktisch sind.MerkmaleNiedrige Gate-Ladung (3,7 nC typisch)Schnelle SchaltgeschwindigkeitHochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON)SUPERSOT-6-Gehäuse: Kleine Grundfläche 72% (kleiner als Standard SO-8); niedriges Profil (1 mm dick)Pb-freiAnwendungenLastschalterBatterieschutzPower Management