IRF9540NPBF - MOSFET, P-Ch, -100V -23A 0,117R, TO-220AB
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HEXFET Leistungs-MOSFETDieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind hohe Schaltgeschwindigkeit und robuste Geräteausführung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen.MerkmaleFortschrittliche ProzesstechnologieDynamischer dv/dt-Wert175°C BetriebstemperaturSchnelle SchaltungVollständig Avalanche bewertetBleifrei
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