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IRFZ 44Z IR - MOSFET, N-Ch 55V 36A 80W, TO-220AB

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Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte wiederholte Avalanche-Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen.Eigenschaften• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Ultra-niedriger Einschalt-Widerstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• Schnelles Schalten• Bleifrei

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