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IRF 3808 - MOSFET, N-Ch 75V 140A 0,007R, TO-220AB

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IRF3808PbF, HEXFET® Leistungs-MOSFETBeschreibung:Dieser Advanced Planar Stripe HEXFET ® Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses HEXFET-Leistungs-MOSFETs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Kombination macht das Design zu einer äußerst effizienten und zuverlässigen Wahl für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.Vorteile:• Fortschrittliche Prozesstechnologie• Extrem niedriger Einschaltwiderstand• Dynamischer dv/dt-Wert• 175°C Betriebstemperatur• Schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• BleifreiTypische Anwendungen• Industrieller Motorantrieb

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