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IRF3808STRLPBF - MOSFET, N-Ch 75V 106A 0,007R, D²Pak

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HEXFET Leistungs-MOSFETDieser HEXFET Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, hohe Schaltgeschwindigkeit und verbesserte repetitive Avalanche-Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen.MerkmaleFortschrittliche ProzesstechnologieExtrem niedriger EinschaltwiderstandDynamischer dv/dt-Wert175°C BetriebstemperaturSchnelles SchaltenVollständig Avalanche bewertetBleifrei

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