IRFD 014 - MOSFET, N-Ch 60V 1,7A 1,3W, HD-1

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts.Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• wiederholter Lawinenabgang bewertet• schnelles Schalten• einfache Antriebsanforderungen• einfache Parallelschaltung