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IRFBE 30 - MOSFET, N-Ch 800V 4,1A 125W, TO-220AB

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Produktdetails

Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur fortschrittlichen Produktlinie der Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HEXFET-Designs sorgen für einen sehr niedrigen Durchlasswiderstand in Kombination mit einer hohen Transkonduktanz und einer extremen Robustheit des Geräts.Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Eigenschaften• wiederholter Lawinenabgang bewertet• schnelles Schalten• einfache Antriebsanforderungen• einfache Parallelschaltung

Informationen

Lieferzeit:1-3 Werktage
Marke:Vishay