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IRF 1010Z - MOSFET, N-Ch 55V 94A 0,0075R, TO-220AB

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Speziell für Automobilanwendungen entwickelt,Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuestenVerarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale des175°C Sperrschicht-Betriebstemperatur, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Repetitive Avalanche-Bewertung. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl von anderer Anwendungen.Merkmale:• fortschrittliche Prozesstechnologie extrem• niedriger Einschaltwiderstand 175°C• Betriebstemperatur schnelles Schalten• Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• Bleifrei

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