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IRF1404ZSPBF - MOSFET N-Ch 40V 120A 0,0037R D²Pak

1,90 €

BeschreibungDieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für eine Vielzahl von Anwendungen.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• extrem niedriger On-Widerstand• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• repetitive Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• bleifrei

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