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UF640L-TA3 - MOSFET, N-Ch 200V 18A 0,18R, TO-220AB

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Diese Arten von n-Kanal-Power-Mos-Feldeffekttransistoren haben geringe Leitungsverluste, hohe Eingangsimpedanz, hohe Schaltgeschwindigkeit und lineare Übertragungseigenschaften, so dass sie in einer Vielzahl von Leistungsumwandlungsanwendungen.Der UF640 eignet sich für Resonanz- und PWM-Wandlertopologien.FeaturesRDS(ON) =0,18O@VGS = 10V.ultra niedrige Gate-Ladung (typisch 43nC)niedrige Rückübertragungskapazität (CRSS = typisch 100 pF)schnelle Schaltfähigkeitspezifizierte Avalanche-Energieverbesserte dv/dt-Fähigkeit, hohe Robustheit

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