FDV 301N - MOSFET, N-Ch 25V 0,22A 0,35W, SOT-23

Niedrige Schaltverluste dank kurzer Schaltzeiten und kleinstem R DS (ON)Digital FET, N-KanalDiese N-Kanal-Feldeffekttransistoren im Anreicherungsmodus sind mit der von Onsemi entwickelten DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist speziell darauf zugeschnitten, den Durchlasswiderstand zu minimieren. Dieses Bauelement wurde speziell für Niederspannungsanwendungen als Ersatz für digitale Transistoren entwickelt. Da keine Vorspannungswiderstände erforderlich sind, kann dieser ein N-Kanal-FET mehrere verschiedene digitale Transistoren mit unterschiedlichen Vorspannungswiderstandswerten ersetzen.Merkmale- Sehr niedrige Gate-Ansteuerungsanforderungen, die den direkten Betrieb in 3-V-Schaltungen ermöglichen, VGS(th) < 1,06 V- Gate-Source-Zener für ESD-Robustheit- Ersetzen mehrere NPN-Digital-Transistoren durch einen DMOS-FET- Pb-frei und halidfrei