IRF 3205S - MOSFET, N-Ch 55V 110A 0,008R, D2Pak

Die fortschrittlichen HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Kombination mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistung und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignetaufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstandes und kann bis zu 2,0 W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung ableiten. Die Version mit Durchgangsbohrung (IRF3205L) ist für Low-Profile Anwendungen verfügbar.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• Oberflächenmontage (IRF 1310NS)• flache Durchgangsbohrung (IRF 1310NL)• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-tauglich