IRF 9Z34NS - MOSFET, P-Ch, -55V -19A 0,1R, D2-PAK

HEXFETs der fünften Generation von international Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak eignet sich aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen und kann in einer typischen Oberflächenmontageanwendung bis zu 2,0 W ableiten. Die Durchgangslochversion (IRF9Z34NL) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlichEigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• Oberflächenmontage (IRF9Z34NS)• Low-Profile-Durchgangsbohrung (IRF9Z34NL)• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• P-Kanal• voll Avalanche-geeignet