IRF 1404S - MOSFET, N-Ch 40V 162A 0,004R 200W, D2-PAK

Die HEXFETÆ Leistungs-MOSFETs der siebten Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand proSiliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil in Verbindung mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D2Pak ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgehäuse, das Chipgrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den geringstmöglichen On-Widerstand in allen bestehenden oberflächenmontierbaren Gehäusen. Das D2Pak ist für Hochstromanwendungen geeignet, da es niedrigen internen Verbindungswiderstand und kann bis zu bis zu 2,0 W in einer typischen oberflächenmontierten Anwendung. Die Durchgangslochversion (IRF1404L) ist für Low-Profile-Anwendungen erhältlich.Eigenschaften• fortschrittliche Prozesstechnologie• Oberflächenmontage (IRF 1310NS)• flache Durchgangsbohrung (IRF 1310NL)• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• voll Avalanche-tauglich