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IGB10N60T - IGBT-Transistor, 600 V, 10 A, 110 W, D2Pak

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Der hart schaltende 600 V, 10 A Einzel-TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete im TO263 D2Pak-Gehäuse führt dank der Kombination aus Trench-Cell- und Fieldstop-Konzept zu einer deutlichen Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bauelements. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.Zusammenfassung der Merkmale Niedrigster VCEsat-Abfall für geringere Leitungsverluste Geringe Schaltverluste Leichte Parallelschaltbarkeit aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat Hohe Widerstandsfähigkeit, temperaturstabiles Verhalten Geringe EMI-Emissionen Niedrige Gate-Ladung Sehr enge ParameterverteilungVorteile Höchste Effizienz - geringe Leitungs- und Schaltverluste Umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Flexibilität beim Design Hohe Zuverlässigkeit der Geräte

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