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IGB30N60H3 - IGBT-Transistor, 600 V, 30 A, 187 W, D2Pak

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Der Hochgeschwindigkeits-TRENCHSTOP™ IGBT3 mit 600 V und 30 A in einem TO263 D2Pak-Gehäuse bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten. Das Hauptmerkmal dieser Familie ist ein MOSFET-ähnliches Abschaltverhalten, das zu geringen Abschaltverlusten führt.Zusammenfassung der Merkmale Niedrige Schaltverluste für hohen Wirkungsgrad Ausgezeichnetes Vce(sat)-Verhalten dank der bekannten Infineon TRENCHSTOP™-Technologie Schnelles Schaltverhalten mit geringer EMI-Emission Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands möglich (bis zu 5O) unter Beibehaltung eines hervorragenden Schaltverhaltens Kurzschlussfähigkeit 5µs Bietet Tj(max) von 175°C Gehäuse mit und ohne Freilaufdiode für mehr Designfreiheit

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