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IKWH30N65WR6XK - IGBT-Transistor, 650 V, 30 A, 83 W, TO-247

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650 V, 30 A IGBT mit antiparalleler Diode im TO-247-3-HCC-Gehäuse650 V, 30 A rückwärts leitender Hochgeschwindigkeits-IGBT TRENCHSTOP™ 5 WR6 im TO-247-3-HCC-Gehäuse mit hoher Luft- und Kriechstrecke. Er ist speziell für PFC für RAC / CAC und Schweißinverteranwendungen optimiert. Das hervorragende Preis-/Leistungsverhältnis des WR6 IGBT ermöglicht auch kostensensiblen Kunden den Zugang zu dieser Hochleistungstechnologie. WR6 bietet niedrigste VCEsat und Esw, was eine Schaltfrequenz von bis zu 75 kHz ermöglicht. WR6 IGBT ermöglichen außerdem ein zuverlässigeres Design mit erhöhten Luft- und Kriechstrecken.Zusammenfassung der Merkmale Niedrigste VCEsat 1,4 V bei 25°C Monolithisch integrierte Diode Niedrigstes Esw Gehäuse mit hoher Kriech- und LuftstreckeVorteile Verbessertes Preis-/Leistungsverhältnis Optimierte Diode für PFC- und Schweißanwendungen Geringste Schaltverluste Verbesserte Zuverlässigkeit gegen GehäuseverschmutzungAnwendungen Klimatisierung von Wohngebäuden: Intelligente (IoT) und effiziente KühlungMarking• H30EWR6

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