IRF 2807 - MOSFET, N-Ch 75V 82A 0,013R 230W, TO-220AB

Speziell für Automotive-Anwendungen entwickelt, ID = 75A.Dieser HEXFET® Power MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.Weitere Merkmale dieses 175°C Sperrschicht-Betriebstemperatur, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Repetitive Avalanche-Bewertung.Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem extrem effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl vonanderer Anwendungen.Das TO-220-Gehäuse wird universell für allekommerziell-industrielle Anwendungen mit einer Verlustleistungbis etwa 50 Watt. Der niedrige thermischeWiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragenzu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten IndustrieMerkmale• fortschrittliche Prozesstechnologie• extrem niedriger Einschaltwiderstand• 175°C Betriebstemperatur• schnelles Schalten• wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt• Bleifrei