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LND150N3-G - DMOSFET, N-Ch Depletion-Mode, 500V 1 mA TO-92,

LND150N3-G - DMOSFET, N-Ch Depletion-Mode, 500V 1 mA TO-92,

DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungs-ModusBeschreibung:Der LND150 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verarmungstransistor (normalerweise... Mehr erfahren

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Produktdetails

DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungs-ModusBeschreibung:Der LND150 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Verarmungstransistor (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie von Supertex verwendet. Das Tor ist ESD-geschützt. Der LND150 ist ideal für Hochspannungsanwendungen in den Bereichen normalerweise eingeschaltete Schalter, Präzisionskonstantstromquellen, Spannungsrampengenerierung und Verstärkung.Merkmale• Frei von sekundärer Aufschlüsselung• Niedriger Antriebsleistungsbedarf• Leichte Parallelisierung• Ausgezeichnete thermische Stabilität• Integrierte Source-Drain-Diode• Hohe Eingangsimpedanz und niedriger CISS• ESD-Gate-SchutzAnwendungen:• Festkörper-Relais• Normalerweise eingeschaltete Schalter• Konverter• Stromversorgungsschaltungen• Konstantstromquellen• Eingangsschutzschaltungen Technical Data: • BVdsx: 500 V• RDS: 1000 Ohm• Ugs (off): -1,0 ... -3,0 V• Ic: 1 mA

Informationen

Lieferzeit:1-3 Werktage
Marke:MICROCHIP