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IXBH9N160G - HV-BiMOSFET N-Ch 1600V 9A 100W, TO-247AD

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Hochspannungs-BiMOSFET Monolithisch bipolar MOS-Transistor, N-Kanal, AnreicherungsmodusMerkmale:Hochspannungs-PaketErsetzt Hochspannungs-Darlingtons und in Reihe geschaltete MOSFETsNiedrigerer effektiver RDSONMOS-Tor einschaltenEinfachheit des AntriebsMOSFET-kompatibel für 10V Einschaltspannung am GateMonolithische KonstruktionHohe SperrspannungsfähigkeitSehr schnelle AbschaltmerkmaleInternationales Standard-GehäuseFähigkeit zur Rückwärtsleitung (Reverse Conducting)Vorteile:Anforderung für Low Gate-AntriebHohe LeistungsdichteApplikationen:Flyback-KonverterDC-ChopperUnterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS)Stromversorgungen für Schaltnetzteile und ResonanzmodusCRT-AblenkungLampen-Vorschaltgeräte

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